參數(shù)資料
型號(hào)： M2V56S40ATP-8
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： 256M Synchronous DRAM
中文描述： 256M同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 39/49頁(yè)
文件大?。?/td> 239K
代理商： M2V56S40ATP-8
Feb.2000
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.1.1)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40/ TP -6, -7, -8
256M Synchronous DRAM
39
Write Interrupted by Read, Read Interrupted by Write [CL=2, BL=4]
CLK
/CS
/RAS
/CAS
/WE
CKE
DQM
A0-9,11
A10
A12
BA0,1
DQ
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
X
X
X
0
Y
0
D0
D0
Y
1
D1
D1
D1
D1
1
tRCD
Italic paramater
shows minimum case
ACT#0
WRITE#0
WRITE#1
PRE#1
X
X
X
1
tRRD
ACT#1
Q1
Q1
Y
1
tWR
READ#1
tRCD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M312L2828ET0 CTV 6C 6#20 PIN PLUG
M312L3223ETS DDR SDRAM Registered Module
M312L6420ETS DDR SDRAM Registered Module
M312L6423ETS DDR SDRAM Registered Module
M383L2828ET1 DDR SDRAM Registered Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M2V56S40TP 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM
M2V56S40TP-6 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM
M2V56S40TP-7 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM
M2V56S40TP-8 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM
M2V64S20BTP 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*