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參數資料
| 型號： | M2V56S40ATP-8 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 256M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256M同步DRAM |
| 文件頁數： | 3/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 239K |
| 代理商： | M2V56S40ATP-8 |
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Feb.2000
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.1.1)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40/ TP -6, -7, -8
256M Synchronous DRAM
3
Speed Grade 6: 133MHz@CL3, 100MHz@CL2
7: 100MHz@CL2
8: 100MHz@CL3
Type Designation Code
M 2 V 56 S 4 0
This rule is applied to only Synchronous DRAM family.
Mitsubishi Main Designation
Package Type TP: TSOP(II)
Process Generation
Function Reserved for Future Use
Organization 2n2: x4, 3: x8, 4: x16
SDRAM Data Rate Type S:Single Data Rate
Density 56: 256M bits
Interface V:LVTTL
Memory Style (DRAM)
TP - 8
BLOCK DIAGRAM
/CS /RAS /CAS /WE DQMU/L
Memory
Array
Bank #0
DQ0-3 (x4), 0-7 (x8), 0 - 15 (x16)
I/O Buffer
Memory
Array
Bank #1
Memory
Array
Bank #2
Memory
Array
Bank #3
Mode Register
Control Circuitry
Address Buffer
A0-12
BA0,1
Clock Buffer
CLK
CKE
Control Signal Buffer
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M312L2828ET0 | CTV 6C 6#20 PIN PLUG |
| M312L3223ETS | DDR SDRAM Registered Module |
| M312L6420ETS | DDR SDRAM Registered Module |
| M312L6423ETS | DDR SDRAM Registered Module |
| M383L2828ET1 | DDR SDRAM Registered Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M2V56S40TP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40TP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40TP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40TP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V64S20BTP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM |
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