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參數(shù)資料
| 型號： | M2V28S40TP-7L |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 128M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 128M的同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 29/52頁 |
| 文件大小： | 639K |
| 代理商： | M2V28S40TP-7L |
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M2V28S20TP-6,-7,-8
M2V28S30TP-6,-7,-7L,-8,-8L
M2V28S40TP-7,-7L,-8,-8L
Jun. '99
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev. 1.0E)
128M Synchronous DRAM
(4-BANK x 8,388,608-WORD x 4-BIT)
(4-BANK x 4,194,304-WORD x 8-BIT)
(4-BANK x 2,097,152-WORD x 16-BIT)
29
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
CAPACITANCE
NOTES)
1. VIH(max)=5.5V for pulse width less than 10ns.
2. VIL(min)=-1.0V for pulse width less than 10ns.
Symbol
Parameter
Limits
Unit
Min.
Typ.
Max.
Vdd
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
Vss
Supply Voltage
0
0
0
V
VddQ
Supply Voltage for Output
3.0
3.3
3.6
V
VssQ
Supply Voltage for Output
0
0
0
V
VIH*1
High-level Input Voltage all inputs
2.0
VddQ +0.3
V
VIL*2
Low-level Input Voltage all inputs
-0.3
0.8
V
Symbol
Parameter
Conditions
Ratings
Unit
Vdd
Supply Voltage
with respect to Vss
-0.5 - 4.6
V
VddQ
Supply Voltage for Output
-0.5 - 4.6
V
VI
Input Voltage
-0.5 - 4.6
V
VO
Output Voltage
-0.5 - 4.6
V
IO
Output Current
50
mA
Pd
Power Dissipation
Ta = 25oC
1000
mW
Topr
Operating Temperature
0 - 70
Tstg
Storage Temperature
-65 - 150
oC
with respect to VssQ
with respect to Vss
with respect to VssQ
oC
Symbol
Parameter
Test Condition
Limits (max.)
-6 (PC133)
Unit
CI(A)
Input Capacitance, address pin
5.0
pF
CI(C)
Input Capacitance, contorl pin
@ 1MHz
1.4V bias
200mV swing
Vcc=3.3V
5.0
pF
CI(K)
Input Capacitance, CLK pin
4.0
pF
CI/O
Input Capacitance, I/O pin
6.5
pF
(Ta=0 – 70oC, unless otherwise noted )
(Ta=0 – 70oC, Vdd= VddQ= 3.3 ± 0.3V, Vss= VssQ= 0V, unless otherwise noted )
Limits (min.)
2.5
2.5
2.5
4.0
3.8
3.8
3.5
6.5
-7/-8(PC100)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V28S40TP-8 | CA-BAYONET |
| M2V28S40TP-8L | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S20ATP | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S30TP-7L | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S30TP-8 | 128M Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V28S40TP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
| M2V28S40TP-8L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
| M2V3HM6S | 制造商:Johnson Electric / Parlex Corporation 功能描述: |
| M2V3HM6SA | 制造商:Johnson Electric / Parlex Corporation 功能描述: |
| M2V3HM6SF | 制造商:Johnson Electric / Parlex Corporation 功能描述: |
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