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參數(shù)資料
| 型號： | M2V28S30ATP-7 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 128M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 128M的同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 10/52頁 |
| 文件大小： | 639K |
| 代理商： | M2V28S30ATP-7 |
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M2V28S20TP-6,-7,-8
M2V28S30TP-6,-7,-7L,-8,-8L
M2V28S40TP-7,-7L,-8,-8L
Jun. '99
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev. 1.0E)
128M Synchronous DRAM
(4-BANK x 8,388,608-WORD x 4-BIT)
(4-BANK x 4,194,304-WORD x 8-BIT)
(4-BANK x 2,097,152-WORD x 16-BIT)
10
Current State
/CS
/RAS /CAS
/WE
Address
Command
Action
FUNCTION TRUTH TABLE (continued)
READ with
AUTO
PRECHARGE
H
X
X
X
X
DESEL
NOP (Continue Burst to END)
L
H
H
H
X
NOP
NOP (Continue Burst to END)
L
H
H
L
BA
TBST
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ /
READA
WRITE /
WRITEA
ILLEGAL
L
H
L
L
BA, CA, A10
ILLEGAL
L
L
H
H
BA, RA
ACT
Bank Active / ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A10
PRE /
PREA
ILLEGAL*2
L
L
L
H
X
REFA
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code,
Mode-Add
MRS
ILLEGAL
WRITE with
AUTO
PRECHARGE
H
X
X
X
X
DESEL
NOP (Continue Burst to END)
L
H
H
H
X
NOP
NOP (Continue Burst to END)
L
H
H
L
BA
TBST
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ /
READA
WRITE /
WRITEA
ILLEGAL
L
H
L
L
BA, CA, A10
ILLEGAL
L
L
H
H
BA, RA
ACT
Bank Active / ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A10
PRE /
PREA
ILLEGAL*2
L
L
L
H
X
REFA
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code,
Mode-Add
MRS
ILLEGAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V28S30ATP-7L | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S30ATP-8 | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S30ATP-8L | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S30TP | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S40ATP | 128M Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V28S30ATP-7L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
| M2V28S30ATP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
| M2V28S30ATP-8L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
| M2V28S30AVP-7 | 制造商:Mitsubishi Electric 功能描述: |
| M2V28S30TP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
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