參數(shù)資料
型號(hào)： M2V28S30ATP-6L
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： 128M Synchronous DRAM
中文描述： 128M的同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 30/52頁(yè)
文件大?。?/td> 639K
代理商： M2V28S30ATP-6L
M2V28S20TP-6,-7,-8
M2V28S30TP-6,-7,-7L,-8,-8L
M2V28S40TP-7,-7L,-8,-8L
Jun. '99
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev. 1.0E)
128M Synchronous DRAM
(4-BANK x 8,388,608-WORD x 4-BIT)
(4-BANK x 4,194,304-WORD x 8-BIT)
(4-BANK x 2,097,152-WORD x 16-BIT)
30
AVERAGE SUPPLY CURRENT from Vdd
AC OPERATING CONDITIONS AND CHARACTERISTICS
NOTE)
1. Icc(max) is specified at the output open condition.
2. Low Power version. (-7L,-8L only)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Limits
unit
Min.
Max.
VOH (DC)
High-Level Output Voltage (DC)
IOH=-2mA
2.4
V
VOL (DC)
Low-level Output Voltage (DC)
IOL= 2mA
0.4
V
IOZ
Off-state Output Current
Q floating VO=0 -- VddQ
-10
10
μA
Input Current
VIH = 0 -- VddQ +0.3V
-10
10
μA
I
I
(Ta=0 – 70oC, Vdd= VddQ= 3.3 ± 0.3V, Vss= VssQ= 0V, unless otherwise noted )
(Ta=0 – 70oC, Vdd= VddQ= 3.3 ± 0.3V, Vss= VssQ= 0V, unless otherwise noted )
Symbol
ITEM
Limits (max.)
Unit
-8
Icc1
operating current
tRC=min, tCLK =min,
BL=1 , CL=3
mA
Icc2N
tCLK = 15ns
CKE = H
VIH > Vcc - 0.2V
VIL < 0.2V
CLK = L & CKE = H
VIH > Vcc - 0.2V
VIL < 0.2V
all input signals are fixed.
Icc2P
mA
Icc4
All Bank Active
tCLK = min
BL=4, CL=3
-7
Organi-
zation
Note
x4
x8
x16
single bank operation
*1
25
25
x4/x8/x16
2
2
/CS > Vcc -0.2V
tCLK = 15ns
CKE = L
x4/x8/x16
x4
x16
*1
*1
*1
*1
mA
mA
mA
x8
-6
185
-
130
-
25
2
200
precharge standby
current in Non Power
down mode
active standby current
burst current
Icc5
tRC=min, tCLK=min
*1
mA
auto-refresh current
Icc2NS
x4/x8/x16
*1
mA
15
15
15
Icc2PS
1
1
CLK = L
CKE = L
x4/x8/x16
*1
mA
1
120
135
120
135
140
160
150
140
160
150
Icc6
self-refresh current
2
2
x4/x8/x16
*1
mA
2
CKE < 0.2V
200
200
200
120
115
115
x4/x8/x16
Icc3NS
35
35
CKE = H, CLK=L
x4/x8/x16
35
Icc3N
40
40
CKE = H, tCLK=15ns
x4/x8/x16
40
0.8
0.8
-
mA
*1,2
/CS > Vcc -0.2V
precharge standby
current in Power down
mode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M2V28S30ATP-7 128M Synchronous DRAM
M2V28S30ATP-7L 128M Synchronous DRAM
M2V28S30ATP-8 128M Synchronous DRAM
M2V28S30ATP-8L 128M Synchronous DRAM
M2V28S30TP 128M Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
M2V28S30ATP-7 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM
M2V28S30ATP-7L 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM
M2V28S30ATP-8 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM
M2V28S30ATP-8L 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM
M2V28S30AVP-7 制造商:Mitsubishi Electric 功能描述:
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