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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M2S28D30ATP-10 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 128M的雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 31/36頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1216K |
| 代理商： | M2S28D30ATP-10 |
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31
MITSUBISHI ELECTRIC
Jun,'00
Preliminary
MITSUBISHI LSIs
DDR SDRAM (Rev.0.1)
M2S28D20/ 30/ 40ATP
128M Double Data Rate Synchronous DRAM
Burst write operation can be interrupted by precharge of the same or all bank. Random column
access is allowed. tWR is referenced from the first positive CLK edge after the last data input.
[Write interrupted by Precharge]
Write Interrupted by Precharge (BL=8, CL=2.5)
Command
A0-9,11
A10
BA0,1
DQ
WRITE
Yi
0
00
PRE
00
Dai0
Dai1
QS
DM
tWR
/CLK
CLK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2S28D30ATP-75 | 128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S28D40ATP | 128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S28D40ATP-10 | 128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S28D40ATP-75 | 128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V28S20TP-6 | 128 x 64 pixel format, LED Backlight available |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2S28D30ATP-75 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S28D40ATP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S28D40ATP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S28D40ATP-75 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S28UC | 功能描述:閃存 MACH2 2.5" SATA SSD 8GB COM TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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