- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359039 > M29W160ET (意法半導(dǎo)體) 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M29W160ET |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（含2Mb x8或1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 22/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 665K |
| 代理商： | M29W160ET |
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M29W160ET, M29W160EB
22/40
Figure 11. Read Mode AC Waveforms
Table 12. Read AC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M29W160E
Unit
70
90
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next Address Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Min
70
90
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Max
70
90
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output Transition
G = V
IL
Min
0
0
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
G = V
IL
Max
70
90
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output Transition
E = V
IL
Min
0
0
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
E = V
IL
Max
30
35
ns
t
EHQZ
(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = V
IL
Max
25
30
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
E = V
IL
Max
25
30
ns
t
EHQX
t
GHQX
t
AXQX
t
OH
Chip Enable, Output Enable or Address
Transition to Output Transition
Min
0
0
ns
t
ELBL
t
ELBH
t
ELFL
t
ELFH
Chip Enable to BYTE Low or High
Max
5
5
ns
t
BLQZ
t
FLQZ
BYTE Low to Output Hi-Z
Max
25
30
ns
t
BHQV
t
FHQV
BYTE High to Output Valid
Max
30
40
ns
AI02922
tAVAV
tAVQV
tAXQX
tELQX
tEHQZ
tGLQV
tGLQX
tGHQX
VALID
A0-A19/
A–1
G
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
E
tELQV
tEHQX
tGHQZ
VALID
tBHQV
tELBL/tELBH
tBLQZ
BYTE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W160ET70N6 | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W160EB90N6 | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W160EB90N6E | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W160EB90N6F | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W160ET90N6 | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W160ET70D11 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| M29W160ET70N1 | 功能描述:閃存 2Mx8 or 1Mx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W160ET70N3E | 功能描述:IC FLASH 16MB 3V 70NS TB 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| M29W160ET70N3F | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 3V 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| M29W160ET70N6 | 功能描述:閃存 2Mx8 or 1Mx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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