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參數(shù)資料
| 型號： | M29W160ET |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（含2Mb x8或1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 20/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 665K |
| 代理商： | M29W160ET |
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M29W160ET, M29W160EB
20/40
DC AND AC PARAMETERS
This section summarizes the operating measure-
ment conditions, and the DC and AC characteris-
tics of the device. The parameters in the DC and
AC characteristics Tables that follow, are derived
from tests performed under the Measurement
Conditions summarized in Table 9, Operating and
AC Measurement Conditions. Designers should
check that the operating conditions in their circuit
match the operating conditions when relying on
the quoted parameters.
Table 9. Operating and AC Measurement Conditions
Figure 9. AC Measurement I/O Waveform
Figure 10. AC Measurement Load Circuit
Table 10. Device Capacitance
Note: Sampled only, not 100% tested.
Parameter
M29W160E
Unit
70
90
Min
Max
Min
Max
V
CC
Supply Voltage
2.7
3.6
2.7
3.6
V
Ambient Operating Temperature
–40
85
–40
85
°C
Load Capacitance (C
L
)
30
30
pF
Input Rise and Fall Times
10
10
ns
Input Pulse Voltages
0 to V
CC
0 to V
CC
V
Input and Output Timing Ref. Voltages
V
CC
/2
V
CC
/2
V
AI04498
VCC
0V
VCC/2
AI04499
CL
CL includes JIG capacitance
DEVICE
UNDER
TEST
25k
VCC
25k
VCC
0.1μF
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
12
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W160ET70N6 | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W160EB90N6 | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W160EB90N6E | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W160EB90N6F | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W160ET90N6 | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W160ET70D11 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| M29W160ET70N1 | 功能描述:閃存 2Mx8 or 1Mx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W160ET70N3E | 功能描述:IC FLASH 16MB 3V 70NS TB 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| M29W160ET70N3F | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 3V 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| M29W160ET70N6 | 功能描述:閃存 2Mx8 or 1Mx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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