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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M25P40-VMN3TP |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 14/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 232K |
| 代理商： | M25P40-VMN3TP |
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M25P40
14/40
Write Enable (WREN)
The Write Enable (WREN) instruction (
Figure 8.
)
sets the Write Enable Latch (WEL) bit.
The Write Enable Latch (WEL) bit must be set pri-
or to every Page Program (PP), Sector Erase
(SE), Bulk Erase (BE) and Write Status Register
(WRSR) instruction.
The Write Enable (WREN) instruction is entered
by driving Chip Select (S) Low, sending the in-
struction code, and then driving Chip Select (S)
High.
Figure 8. Write Enable (WREN) Instruction Sequence
Write Disable (WRDI)
The Write Disable (WRDI) instruction (
Figure 9.
)
resets the Write Enable Latch (WEL) bit.
The Write Disable (WRDI) instruction is entered by
driving Chip Select (S) Low, sending the instruc-
tion code, and then driving Chip Select (S) High.
The Write Enable Latch (WEL) bit is reset under
the following conditions:
–
–
–
Power-up
Write Disable (WRDI) instruction completion
Write Status Register (WRSR) instruction
completion
Page Program (PP) instruction completion
Sector Erase (SE) instruction completion
Bulk Erase (BE) instruction completion
–
–
–
Figure 9. Write Disable (WRDI) Instruction Sequence
C
D
AI02281E
S
Q
2
1
3
4
5
6
7
High Impedance
0
Instruction
C
D
AI03750D
S
Q
2
1
3
4
5
6
7
High Impedance
0
Instruction
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25P40-VMN6 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40-VMN6G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40-VMN6P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40-VMN6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40-VMN6TP | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25P40-VMN3TP/X | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 25MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Forté™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| M25P40-VMN3TPB | 功能描述:IC SRL FLASH 4MBIT 3V 75MHZ S08N RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Forté™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8 |
| M25P40-VMN3Txx | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:Micron M25P40 Serial Flash Embedded Memory |
| M25P40VMN6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface |
| M25P40-VMN6 | 功能描述:閃存 3.0V 4M (512Kx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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