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參數(shù)資料
| 型號： | M12S16161A-10T |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 16/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 871K |
| 代理商： | M12S16161A-10T |
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ESMT
Page Read Cycle at Different Bank @ Burst Length=4
M12S16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
Jun. 2005
Revision
:
1.0
16/28
*Note: 1.CS can be don’t cared when RAS , CAS and
WE
are high at the clock high going dege.
2.To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
BA
ADDR
A10/AP
CL=2
CL=3
WE
DQM
HIGH
*Note2
RAa
CAa
RBb
RAa
Read
(A-Bank)
Row Active
Row Active
(B-Bank)
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Precharge
(A-Bank)
: Don't care
DQ
CBb
CAc
CBd
CAe
QAa0
*Note1
RBb
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
QAa1 QAa2 QAa3
QBb0
QBb1 QBb2
QBb3
QAc0
QAc1 QBd0
QBd1
QAe0
QAe1
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3
QBb0 QBb1
QBb2 QBb3
QAc0
QAc1 QBd0
QBd1 QAe0
QAe1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12S16161A-10TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-15T | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-15TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M1300 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| M14 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12S16161A-10TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-15T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-15TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-6BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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