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參數(shù)資料
| 型號： | M12L16161A-8T |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 17/27頁 |
| 文件大小： | 566K |
| 代理商： | M12L16161A-8T |
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M12L16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
P.
17
Publication Date : J an. 2000
Revision : 1.3u
Page Write Cycle at Different Bank @Burst Length = 4
*Note: 1.To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2.To interrupt burst write by row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.
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CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
BA
ADDR
A10/ AP
WE
DQM
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Write
(A-Bank)
Precharge
(Both Banks)
: Don't care
DQ
Write
(A-Bank)
Write
(B-Bank)
Write
(B-Bank)
DAa0 DAa1 DAa2
DAa3 DBb0
DBb1 DBb2 DBb3
DAc0
DAc1 DBd0
DBd1
RAa
RBb
RAa
CAa
RBb
CBb
CAc
CBd
*Note2
t
CDL
t
RDL
*Note1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L64322A | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6T | PT 5C 5#16 SKT RECP |
| M12L64322A-7T | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-10T | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L16161C6TAA | 制造商:ELITE 功能描述:New |
| M12L16161C6TAASQ | 制造商:MOTOROLA 功能描述:NEW |
| M12L2561616A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A_08 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A_1 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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