參數(shù)資料
型號(hào)： M11L416256SA
廠商： Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
英文描述： 256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
中文描述： 256畝× 16的DRAM EDO公司頁(yè)面模式
文件頁(yè)數(shù)： 2/16頁(yè)
文件大小： 280K
代理商： M11L416256SA
EliteMT
M11L416256SA
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
CONTROL
LOGIC
DATA-IN BUFFER
CLOCK
GENERATOR
DATA-OUT
BUFFER
COLUMN
ADDRESS
BUFFER
REFRESH
CONTROLER
REFRESH
COUNTER
ROW.
ADDRESS
BUFFERS(9)
9
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
COLUMN
DECODER
OE
16
D
512 x 512 x 16
MEMORY
ARRAY
16
SENSE AMPLIFIERS
I/O GATING
8
512 x 16
V
CC
V
SS
IO0
:
IO15
RAS
CASH
512
512
9
9
9
9
9
CASL
V
BB
GENERATOR
WE
16
A8
PIN DESCRIPTIONS
PIN NO.
PIN NAME
TYPE
DESCRIPTION
16~19,22~26
A0~A8
Input
Address Input
Row Address : A0~A8
Column Address : A0~A8
14
RAS
Input
Row Address Strobe
28
CASH
Input
Column Address Strobe / Upper Byte Control
29
CASL
Input
Column Address Strobe / Lower Byte Control
13
WE
Input
Write Enable
27
OE
Input
Output Enable
2~5,7~10,31~34,36~39
I/O0 ~ I/O15
Input / Output Data Input / Output
1,6,20
V
CC
Supply
Power, 3.3V
21,35,40
V
SS
Ground
Ground
11,12,15,30
NC
-
No Connect
Elite Memory Technology Inc
Publication Date
:
Aug. 2005
Revision
:
1.4
2/16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M11L416256SA-35JP 256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
M11L416256SA-35TG 256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
M12L128168A 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L128168A-5T 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L128168A-6T 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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M11L416256SA-35TG 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
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M11LRGSP 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:MARINE SWITCH, SPST ON/OFF, LIGHTED
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