參數(shù)資料
型號(hào)： M11L416256SA
廠商： Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
英文描述： 256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
中文描述： 256畝× 16的DRAM EDO公司頁(yè)面模式
文件頁(yè)數(shù)： 14/16頁(yè)
文件大?。?/td> 280K
代理商： M11L416256SA
EliteMT
M11L416256SA
PACKING DIMENSIONS
40-LEAD SOJ(400mil)
SECTION I
40
21
1
20
D
E
1
E
Seating Plain
A
2
b
2
b
0
e
E
2
0.024" Min.
A
1
A
θ
1
R
1
c
Detail "A"
Detail "A"
SECTION II
40
21
1
20
D
E
1
E
Seating Plain
A
2
b
2
b
0
e
E
2
0.024" Min.
A
1
A
θ
1
R
1
c
Detail "A"
Detail "A"
Symbol
A
A
1
A
2
b
b
2
c
e
Dimension in mm
Min
Norm
3.250
3.510
2.080
2.790 REF
0.380
0.460
0.635 REF
0.180
0.250
1.270 BSC
Dimension in inch
Min
Norm
0.128
0.138
0.082
0.110 REF
0.015
0.018
0.025 REF
0.007
0.010
0.050 BSC
Symbol
E
E
1
E
2
R
1
θ
1
D
Dimension in mm
Min
Norm
10.920
11.176
10.030
10.160
9.40 BSC
0.760
0.890
°
0
25.91
26.040
Dimension in inch
Min
Norm
0.430
0.440
0.395
0.400
0.370 BSC
0.030
0.035
°
0
1.02
1.025
Max
3.760
Max
0.148
Max
11.430
10.290
Max
0.450
0.405
0.560
0.022
1.020
°
10
26.290
0.040
10
1.035
°
0.360
0.014
Elite Memory Technology Inc
Publication Date
:
Aug. 2005
Revision
:
1.4
14/16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M11L416256SA-35JP 256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
M11L416256SA-35TG 256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
M12L128168A 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L128168A-5T 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L128168A-6T 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M11L416256SA-35JP 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
M11L416256SA-35TG 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
M-11-LID-PLATED 功能描述:罩類、盒類及殼類產(chǎn)品 PLTD LID FOR M11 RoHS:否 制造商:Bud Industries 產(chǎn)品:Boxes 外部深度:6.35 mm 外部寬度:6.35 mm 外部高度:2.56 mm NEMA 額定值: IP 等級(jí): 材料:Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) 顏色:Red
M11LRGSP 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:MARINE SWITCH, SPST ON/OFF, LIGHTED
M11LRSP 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:MARINE SWITCH, SPST ON/OFF, LIGHTED
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