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MLZ2012A1R5WTD25

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • MLZ2012A1R5WTD25
    MLZ2012A1R5WTD25

    MLZ2012A1R5WTD25

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TDK

  • SMD

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • MLZ2012A1R5WTD25
    MLZ2012A1R5WTD25

    MLZ2012A1R5WTD25

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • TDK Corporation

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共4條 
  • 1
MLZ2012A1R5WTD25 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 1.5μH Shielded Multilayer Inductor 750mA 169 mOhm Max 0805 (2012 Metric)
  • 制造商
  • tdk corporation
  • 系列
  • MLZ
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 類型
  • 多層
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵氧體
  • 電感
  • 1.5μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 750mA
  • 電流 - 飽和值
  • 250mA
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻（DCR）
  • 169 毫歐最大
  • 不同頻率時(shí)的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級(jí)
  • AEC-Q200
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測(cè)試
  • 10MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 0805（2012 公制）
  • 大小/尺寸
  • 0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）
  • 0.041"（1.05mm）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
MLZ2012A1R5WTD25 技術(shù)參數(shù)
  • MLZ2012A1R5WT000 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 750mA 169 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:750mA 電流 - 飽和值:250mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:169 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:140MHz 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012A1R0WTD25 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 900mA 130 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:900mA 電流 - 飽和值:280mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:130 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012A1R0WT000 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 900mA 130 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:900mA 電流 - 飽和值:280mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:130 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:160MHz 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012A1R0M 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 900mA 100 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:900mA 電流 - 飽和值:280mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:160MHz 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ1608N4R7LTD25 功能描述:4.7μH Shielded Multilayer Inductor 400mA 416 mOhm Max 0603 (1608 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:400mA 電流 - 飽和值:80mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:416 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0603（1608 公制） 大小/尺寸:0.063" 長(zhǎng) x 0.031" 寬（1.60mm x 0.80mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.037"（0.95mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012DR22MT000 MLZ2012DR47DTD25 MLZ2012DR47MT000 MLZ2012E100M MLZ2012E4R7M MLZ2012M100HT000 MLZ2012M100HTD25 MLZ2012M100WT000 MLZ2012M100WTD25 MLZ2012M150WT000 MLZ2012M150WTD25 MLZ2012M1R0HT000 MLZ2012M1R0HTD25 MLZ2012M1R5HT MLZ2012M1R5HT000 MLZ2012M1R5HTD25 MLZ2012M220WT000 MLZ2012M220WTD25
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