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MLZ2012DR10DTD25

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  • MLZ2012DR10DTD25
    MLZ2012DR10DTD25

    MLZ2012DR10DTD25

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • TDK Corporation

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

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MLZ2012DR10DTD25 技術(shù)參數(shù)
  • MLZ2012DR10DT000 功能描述:100nH Shielded Multilayer Inductor 1.15A 91 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100nH 容差:±20% 額定電流:1.15A 電流 - 飽和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:91 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:500MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012A3R3WTD25 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 450mA 442 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:200mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:442 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012A3R3WT000 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 450mA 442 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:200mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:442 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:90MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012A2R2WTD25 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 650mA 195 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:650mA 電流 - 飽和值:210mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:195 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012A2R2WT000 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 650mA 195 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:650mA 電流 - 飽和值:210mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:195 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:120MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012M100WT000 MLZ2012M100WTD25 MLZ2012M150WT000 MLZ2012M150WTD25 MLZ2012M1R0HT000 MLZ2012M1R0HTD25 MLZ2012M1R5HT MLZ2012M1R5HT000 MLZ2012M1R5HTD25 MLZ2012M220WT000 MLZ2012M220WTD25 MLZ2012M2R2HT000 MLZ2012M2R2HTD25 MLZ2012M330WT000 MLZ2012M330WTD25 MLZ2012M3R3HT MLZ2012M3R3HT000 MLZ2012M3R3HTD25
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