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MLZ2012M3R3HT000

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • MLZ2012M3R3HT000
    MLZ2012M3R3HT000

    MLZ2012M3R3HT000

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • TDK Corporation

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • MLZ2012M3R3HT000
    MLZ2012M3R3HT000

    MLZ2012M3R3HT000

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：廖R

    電話：13163738578

    地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 2000

  • TDK

  • C24-電感器

  • 2201

  • -

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條 
  • 1
MLZ2012M3R3HT000 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 3.3μH Shielded Multilayer Inductor 500mA 260 mOhm Max 0805 (2012 Metric)
  • 制造商
  • tdk corporation
  • 系列
  • MLZ
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 類(lèi)型
  • 多層
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵氧體
  • 電感
  • 3.3μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 500mA
  • 電流 - 飽和值
  • 350mA
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻（DCR）
  • 260 毫歐最大
  • 不同頻率時(shí)的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級(jí)
  • -
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測(cè)試
  • -
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 0805（2012 公制）
  • 大小/尺寸
  • 0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）
  • 0.057"（1.45mm）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
MLZ2012M3R3HT000 技術(shù)參數(shù)
  • MLZ2012M330WTD25 功能描述:33μH Shielded Multilayer Inductor 190mA 3.38 Ohm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:33μH 容差:±20% 額定電流:190mA 電流 - 飽和值:55mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:3.38 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:2MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.057"（1.45mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012M330WT000 功能描述:33μH Shielded Multilayer Inductor 190mA 3.38 Ohm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:33μH 容差:±20% 額定電流:190mA 電流 - 飽和值:55mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:3.38 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:2MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.057"（1.45mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012M2R2HTD25 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 600mA 208 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:600mA 電流 - 飽和值:400mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:208 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:2MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.057"（1.45mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012M2R2HT000 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 600mA 208 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:600mA 電流 - 飽和值:400mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:208 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100MHz 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:2MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012M220WTD25 功能描述:22μH Shielded Multilayer Inductor 220mA 2.6 Ohm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:22μH 容差:±20% 額定電流:220mA 電流 - 飽和值:60mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:2.6 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:2MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.057"（1.45mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLZ2012M6R8HTD25 MLZ2012M6R8WT000 MLZ2012M6R8WTD25 MLZ2012N100LT000 MLZ2012N100LTD25 MLZ2012N101LT000 MLZ2012N101LTD25 MLZ2012N150LT000 MLZ2012N150LTD25 MLZ2012N1R0LT000 MLZ2012N1R0LTD25 MLZ2012N1R5LT000 MLZ2012N1R5LTD25 MLZ2012N220LT MLZ2012N220LT000 MLZ2012N220LTD25 MLZ2012N2R2LT000 MLZ2012N2R2LTD25
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