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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LXE16350X |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | CON-THT OTHER 14 PIN R/A |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 88K |
| 代理商： | LXE16350X |
1997 Feb 19
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LXE16350X
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1. Up to 0.2 mm from ceramic.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CER
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
T
sld
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
soldering temperature
open emitter
R
BE
= 220
open base
open collector
45
30
20
3
6
57
+200
200
235
V
V
V
V
A
W
°
C
°
C
°
C
T
mb
= 75
°
C
t
≤
10 s; note 1
Fig.2 DC SOAR.
T
mb
≤
75
°
C.
(1) Region of permissible DC operation.
handbook, halfpage
1
1
10
VCE (V)
IC
(A)
(1)
MRA441
10
2
10
2
10
1
Fig.3
Maximum power dissipation derating as a
function of mounting base temperature.
P
tot max
= 57 W.
handbook, halfpage
Ptot
(W)
MRA442
0
20
40
60
80
0
50
100
150
Tmb (
o
C)
200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LXE18300 | NPN microwave power transistor |
| LXE18300X | NPN microwave power transistor |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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