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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LWE2015R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | LWE2015R |
1997 Feb 19
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LWE2015R
Fig.4 Prematching test circuit board.
PTFE fibreglass dielectric (
ε
r
= 2.54); thickness: 0.8 mm.
handbook, full pagewidth
MCD655
30 mm
40 mm
40 mm
30 mm
Fig.5
Load power as a function of source
power; typical values.
V
CE
= 16 V; I
C
= 250 mA (regulated).
(1) 1.7 GHz.
(2) 2 GHz.
(3) 2.3 GHz.
handbook, halfpage
0
0.5
0
1
PL
(W)
PL1
0.25
PS (W)
MGD985
(1)
(2)
(3)
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PDF描述 |
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