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參數(shù)資料
| 型號： | LMX2316SLB |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | PLL合成/DDS/VCOs |
| 英文描述： | PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, 1200 MHz, CQCC16 |
| 封裝： | LAMINATE, CSP-16 |
| 文件頁數(shù)： | 18/22頁 |
| 文件大小： | 305K |
| 代理商： | LMX2316SLB |
Charge Pump Current Specification Definitions
I1 = CP sink current at V
CPo =Vp–V
I2 = CP sink current at V
CPo =Vp/2
I3 = CP sink current at V
CPo = V
I4 = CP source current at V
CPo =Vp–V
I5 = CP source current at V
CPo =Vp/2
I6 = CP source current at V
CPo = V
V = Voltage offset from positive and negative rails. Dependent on VCO tuning range relative to V
CC and ground. Typical values
are between 0.5V and 1.0V
1.
ICP
o vs VCPo = Charge Pump Output Current magnitude variation vs Voltage =
[12 * { |I1| |I3|}]/[12 * {|I1| + |I3|}] * 100% and [12 * {|I4| |I6|}]/[12 * {|I4| + |I6|}] * 100%
2.
ICP
o-sink vs ICPo–source = Charge Pump Output Current Sink vs Source Mismatch =
[|I2| |I5|]/[12 * {|I2| + |I5|}] * 100%
3.
ICP
o vs T = Charge Pump Output Current magnitude variation vs Temperature =
[|I2 @ temp| |I2 @ 25C|]/|I2 @ 25C| * 100% and [|I5 @ temp| |I5 @ 25C|]/|I5 @ 25C| * 100%
DS100127-3
LMX2306/LMX2316/LMX2326
www.national.com
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