參數(shù)資料
型號： LM5111-3M
廠商： NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 外設及接口
英文描述： Dual 5A Compound Gate Driver
中文描述： 5 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO8
封裝： MS-012AA, SOIC-8
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 205K
代理商： LM5111-3M
Absolute Maximum Ratings
(Note 1)
If Military/Aerospace specified devices are required,
please contact the National Semiconductor Sales Office/
Distributors for availability and specifications.
V
CC
to V
EE
IN to V
EE
0.3V to 15V
0.3V to 15V
Storage Temperature Range, (T
STG
)
Maximum Junction Temperature,
(T
J
(max))
Operating Junction Temperature
ESD Rating
55C to +150C
+150C
+125C
2kV
Electrical Characteristics
T
J
= 40C to +125C, V
CC
= 12V, V
EE
= 0V, No Load on OUT_A or OUT_B, unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
V
CC
Operating Range
V
CC
V
EE
V
CCR
V
CC
Under Voltage Lockout
(rising)
V
CCH
V
CC
Under Voltage Lockout
Hysteresis
I
CC
V
CC
Supply Current (I
CC
)
IN_A = IN_B = 0V (5111-1)
IN_A = IN_B = V
CC
(5111-2)
IN_A = V
CC
, IN_B = 0V
(5111-3)
CONTROL INPUTS
V
IH
Logic High
V
IL
Logic Low
HYS
Input Hysteresis
I
IL
Input Current Low
IN_A=IN_B=V
CC
(5111-1-2-3)
I
IH
Input Current High
IN_B=V
CC
(5111-3)
IN_A=IN_B=V
CC
(5111-2)
IN_A=IN_B=V
CC
(5111-1)
IN_A=V
CC
(5111-3)
OUTPUT DRIVERS
R
OH
Output Resistance High
I
OUT
= 10 mA
R
OL
Output Resistance Low
I
OUT
= + 10 mA
I
Source
Peak Source Current
OUTA/OUTB = V
CC
/2,
200 ns Pulsed Current
I
Sink
Peak Sink Current
OUTA/OUTB = V
CC
/2,
200 ns Pulsed Current
Conditions
Min
3.5
Typ
Max
14
Units
V
V
CC
V
EE
2.3
2.9
3.5
V
230
mV
1
2
mA
1
2
1
2
1.75
1.35
400
2.2
V
V
0.8
mV
1
0.1
1
μA
10
1
10
-1
18
0.1
18
0.1
25
1
25
1
30
1.4
50
2.5
3
A
5
A
L
www.national.com
4
相關PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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