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參數(shù)資料
| 型號： | LHF16J06 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | Flash Memory 16M (1M 】 16 / 2M 】 8) |
| 中文描述： | 閃存16M內存（100萬】16 / 2米】8） |
| 文件頁數(shù)： | 31/47頁 |
| 文件大小： | 245K |
| 代理商： | LHF16J06 |
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LHF16J06
29
Rev. 1.26
6.2.3 DC CHARACTERISTICS
DC Characteristics
V
CC
=2.7V-3.6V
Typ.
Test
Sym.
I
LI
Parameter
Notes
1
Max.
Unit
Conditions
Input Load Current
±0.5
μA
V
CC
=V
CC
Max.
V
IN
=V
CC
or GND
V
CC
=V
CC
Max.
V
OUT
=V
CC
or GND
CMOS Level Inputs
V
CC
=V
CC
Max.
CE#=RP#=V
CC
±0.2V
TTL Level Inputs
V
CC
=V
CC
Max.
CE#=RP#=V
IH
CMOS Level Inputs
V
CC
=V
CC
Max.
CE#=GND±0.2V
RP#=GND±0.2V
I
OUT
(RY/BY#)=0mA
CMOS Level Inputs
V
CC
=V
CC
Max., CE#=GND
f=5MHz, I
OUT
=0mA
TTL Level Inputs
V
CC
=V
CC
Max., CE#=GND
f=5MHz, I
OUT
=0mA
V
CCW
=2.7V-3.6V
V
CCW
=11.7V-12.3V
V
CCW
=2.7V-3.6V
V
CCW
=11.7V-12.3V
I
LO
Output Leakage Current
1
±0.5
μA
I
CCS
V
CC
Standby Current
1,3,6
2
15
μA
0.2
2
mA
I
CCAS
V
CC
Auto Power-Save Current
1,5,6
2
15
μA
I
CCD
V
CC
Reset Power-Down Current
1
2
15
μA
I
CCR
V
CC
Read Current
1,6
15
25
mA
30
mA
I
CCW
V
CC
Word/Byte Write or Set Lock-
Bit Current
V
CC
Block Erase, Full Chip Erase or
Clear Block Lock-Bits Current
V
CC
Word/Byte Write or
Block Erase Suspend Current
V
CCW
Standby or Read Current
1,7
5
5
4
4
17
12
17
12
mA
mA
mA
mA
I
CCE
1,7
I
CCWS
I
CCES
I
CCWS
I
CCWR
I
CCWAS
1,2
1
6
mA
CE#=V
IH
1
±2
10
±15
200
μA
μA
V
CCW
≤
V
CC
V
CCW
>V
CC
CMOS Level Inputs
V
CC
=V
CC
Max.
CE#=GND±0.2V
RP#=GND±0.2V
V
CCW
=2.7V-3.6V
V
CCW
=11.7V-12.3V
V
CCW
=2.7V-3.6V
V
CCW
=11.7V-12.3V
V
CCW
Auto Power-Save Current
1,5,6
0.1
5
μA
I
CCWD
I
CCWW
V
CCW
Reset Power-Down Current
V
CCW
Word/Byte Write or Set Lock-
Bit Current
V
CCW
Block Erase, Full Chip Erase
or Clear Block Lock-Bits Current
V
CCW
Word/Byte Write or
Block Erase Suspend Current
1
0.1
12
5
40
30
25
20
μA
mA
mA
mA
mA
1,7
I
CCWE
1,7
8
I
CCWWS
I
CCWES
1
10
200
μA
V
CCW
=V
CCWH1/2
sharp
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PDF描述 |
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