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參數(shù)資料
| 型號： | LH52D1000 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | CMOS 1M (128K x 8) Static Ram |
| 中文描述： | 100萬的CMOS（128K的× 8）靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | LH52D1000 |
t
CDR
V
CC
2.7 V
2.2 V
V
CCDR
0 V
CE
1
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 V
DATA RETENTION MODE
t
R
52D1000S-6
t
CDR
V
CC
CE
2
DATA RETENTION MODE
t
R
2.7 V
0.6 V
V
CCDR
0 V
CE
2
CONTROL
CE
1
CONTROL
(NOTE)
CE
2
≤
0.2 V
NOTE:
To control the data retention mode at CE
, fix the input level of CE
between V
CCDR
and V
CCDR
- 0.2 V or 0 V to 0.2 V during the data retention mode.
Figure 6. Data Retention
(CE
1
Controlled)
CMOS 1M (128K
×
8) Static RAM
LH52D1000
9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| LH52V1036C4-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
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