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參數(shù)資料
| 型號： | LBE2003S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistors |
| 中文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CERAMIC, SOT-441A, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | LBE2003S |
1997 Mar 03
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistors
LBE2003S; LBE2009S;
LCE2009S
Table 1
Scattering parameters LBE2003S: V
CE
= 18 V; I
C
= 30 mA (V
CE
and I
C
regulated); T
mb
= 25
°
C; Z
o
= 50
;
typical values. (The figures given between brackets are values in dB).
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
143
154
164
171
178
176
170
165
159
158
149
146
142
137
132
128
121
114
108
102
96
92
89
86
82
79
75
73
69
68
65
60
56
51
48
44
MAGNITUDE
(ratio)
0.037 (
28.6)
0.040 (
28.0)
0.040 (
27.9)
0.041 (
27.7)
0.043 (
27.4)
0.045 (
26.9)
0.048 (
26.4)
0.051 (
25.9)
0.056 (
25.1)
0.060 (
24.5)
0.062 (
24.2)
0.065 (
23.8)
0.068 (
23.3)
0.070 (
23.1)
0.072 (
22.9)
0.074 (
22.7)
0.081 (
21.8)
0.091 (
20.8)
0.099 (
20.1)
0.105 (
19.6)
0.108 (
19.4)
0.124 (
18.7)
0.125 (
18.0)
0.137 (
17.3)
0.142 (
17.0)
0.149 (
16.6)
0.155 (
16.2)
0.167 (
15.5)
0.177 (
15.0)
0.187 (
14.6)
0.194 (
14.3)
0.203 (
13.8)
0.219 (
13.2)
0.229 (
12.8)
0.243 (
12.3)
0.245 (
12.2)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
34
35
36
37
38
39
39
41
44
46
48
50
53
54
56
57
61
67
75
82
87
94
101
112
120
128
133
142
151
159
165
169
175
178
171
165
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2200
2400
2600
2800
3000
3200
3400
3600
3800
4000
4200
4400
4600
4800
5000
5200
5400
5600
5800
6000
0.56
0.55
0.55
0.55
0.55
0.55
0.55
0.55
0.56
0.55
0.55
0.55
0.56
0.57
0.57
0.58
0.60
0.62
0.64
0.66
0.68
0.71
0.73
0.75
0.76
0.77
0.78
0.80
0.81
0.81
0.81
0.80
0.81
0.81
0.81
0.80
41
39
40
40
41
40
40
41
41
41
40
42
42
41
40
40
39
37
36
33
31
29
27
25
23
20
17
15
12
10
6
4
1
3
8
12
9.50 (19.6)
8.28 (18.4)
7.13 (17.1)
6.35 (16.1)
5.69 (15.1
5.14 (14.2
4.72 (13.5
4.37 (12.8
4.05 (12.2
3.76 (11.5
3.52 (10.9
3.33 (10.5
3.15 (10.0
2.96 (9.4)
2.80 (8.9)
2.66 (8.5)
2.43 (7.7)
2.24 (7.0)
2.08 (6.4)
1.90 (5.6)
1.79 (5.1)
1.63 (4.3)
1.58 (4.0)
1.46 (3.3)
1.40 (2.9)
1.31 (2.3)
1.25 (1.9)
1.20 (1.6)
1.14 (1.1)
1.10 (0.8)
1.04 (0.4)
1.03 (0.3)
0.98 (
0.2)
0.97 (
0.3)
0.92 (
0.7)
0.90 (
0.9)
101
93
88
82
77
72
68
64
60
57
53
50
46
42
39
36
28
23
16
10
0.56
0.51
0.50
0.49
0.47
0.46
0.46
0.45
0.44
0.45
0.43
0.43
0.43
0.43
0.43
0.42
0.41
0.40
0.39
0.38
0.39
0.37
0.40
0.39
0.38
0.38
0.38
0.39
0.39
0.42
0.44
0.47
0.48
0.49
0.51
0.55
4
2
7
13
18
24
28
34
38
43
47
53
57
62
68
72
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LBX2000 | Peripheral IC |
| LBX2100 | Peripheral IC |
| LC-155B2J1T | Telecommunication IC |
| LC-155B2M1T | Telecommunication IC |
| LC-FSLC-045P-0407A | 450 MHz Band Chip Multilayer 90deg. / 3dB Splitter |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LBE2009S | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistors |
| LBE63C | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:Power TOPLED with Lens Enhanced Optical Power LED (ATON) |
| LBE63C-S2U1-35 | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:Power TOPLED with Lens Enhanced Optical Power LED (ATON) |
| LBE63C-T2V1-35 | 制造商:OSRAM 功能描述:Q65110A1852_POWER TOPLED - ROHS 制造商:OSRAM 功能描述:Power TOPLED Blue,LB E63C-T2V1-35 |
| LBE63C-T2V1-35-R33-Z | 制造商:OSRAM 功能描述: |
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