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參數(shù)資料
| 型號： | L50NH3LL |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-channel 30V - 0.011ohm - 13A - PowerFLAT (6x5) Ultra low gate charge STripFET Power MOSFET |
| 中文描述： | N溝道30V的- 0.011ohm - 13A條-的PowerFLAT（6x5）超低柵極電荷STripFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 335K |
| 代理商： | L50NH3LL |
STL50NH3LL
Electrical characteristics
5/12
Table 6.
Switching times
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
V
DD
=15V, I
D
= 6.5A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=4.5V
(see Figure 13)
15
32
18
8.5
ns
ns
ns
ns
Table 7.
Source drain diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ.
Max
Unit
I
SD
Source-drain current
13
A
I
SDM(1)
1.
Pulse width limited by safe operating area
Source-drain current (pulsed)
52
A
V
SD(2)
2.
Pulsed: pulse duration=300μs, duty cycle 1.5%
Forward on voltage
I
SD
=13A, V
GS
=0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
=13A,
di/dt = 100A/μs,
V
DD
=20V, Tj=150°C
(see Figure 15)
24
17.4
1.45
ns
nC
A
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