參數(shù)資料
型號(hào)： KTX321U
廠商： KEC Holdings
英文描述： EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 外延平面PNP晶體管N通道MOS場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： KTX321U
2003. 11. 20
6/6
KTX321U
Revision No : 0
V - I
DRAIN CURRENT I (mA)
D
D
D
S
DRAIN CURRENT I (mA)
D
t - I
COMMON SOURCE
Ta=25 C
V =5V
D.U. <
V :t , t < 5ns
(Z =50
)
P - Ta
AMBIENT TEMPERATURE Ta ( C)
0
20
40
100
D
0
D
60
80
100
120
140
160
200
300
50
150
250
I
V
5V
0
10
μ
s
V
R
L
OUT
D
V
IN
5
DD
Ta=25 C
(Z =50
)
V :t , t < 5ns
D.U. =
V =5V
COMMON SOURCE
10
μ
s
V
IN
5V
0
DD
L
R
V
5
IN
V
V
I
D
OUT
5V
90%
DD
V
0
OUT
V
IN
V
10%
10%
90%
V (ON)
on
t
off
t
f
t
r
t
SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
1
3
10
100
30
5
COMMON SOURCE
V =2.5V
Ta=25 C
50
10
1K
30
50
100
300
500
on
r
t
off
t
f
t
2
0.005
0.01
0.03
0.05
0.1
0.3
0.5
1
5
30
10
50
3
1
100
t
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PDF描述
KTX401E EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE (GENERAL PURPOSE, ULTRA HIGH SPEED SWITCHING)
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KTX403U EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE (SWITCHING, LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)
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參數(shù)描述
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