參數(shù)資料
型號: KSC3503
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: CRT Display, Video Output
中文描述: 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝: TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 56K
代理商: KSC3503
2000 Fairchild Semiconductor International
K
Rev. A, February 2000
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Reverse Transfer Capacitance
Figure 8. Current Gain Gandwidth Product
Figure 9. Safe Operating Area
Figure 10. Power Derating
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
f=1MHz
C
r
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V
CE
= 30V
f
T
[
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
1
10
100
1000
DC(T
a
=25
o
C
50
μ
s
10ms
1ms
DC(T
c
=2
o
C
I
C
MAX. (Pulse)
I
C
MAX.
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
3
4
5
6
7
8
T
a
T
c
P
C
[
T[
o
C], TEMPERATURE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSC3503DSTU CRT Display, Video Output
KSC3569 High Speed Switching Application
KSC4468 Audio Power Amplifier
KSC5027F High Voltage and High Reliability
KSC5027N High Voltage and High Reliability
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KSC3503CS 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC3503CSTU 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
KSC3503DS 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC3503DSTSSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC3503DSTSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2