參數(shù)資料
型號： KS32C5000
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： LSI of Ethernet(以太網(wǎng)的集成電路)
中文描述： 大規(guī)模集成電路的以太網(wǎng)（以太網(wǎng)的集成電路）
文件頁數(shù)： 19/21頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： KS32C5000
ELECTRONICS
21
May
‘98
LSI
Division
KS32C5000
DMA
Two general DMA channels
Memory-from/to-memory
Serial port(UART)-from/to-memory
DMA operation can be triggered by S/W
and/or by external DMA requests
Operation can also be stopped and then
restarted by S/W
S/W polling and/or internal DMA interrupt
can be used to recognize the completed
DMA operation
8,16,and 32bit data transfers
Address can be generated to Big endian
format
DMA0
DMA1
nDREQ0
nDREQ1
nDACK0
nDACK1
System bus
nXDACK
nXDREQ0
UART0
UART1
nXDREQ1
Mode
selection
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KS35A2
KV31S1
KV38S2
KS500 R.F. AND SWITCHING TRANSISTORS N-P-N, HF. UND SCHALTTRANSISTOREN N-P-N
KS524503HB TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 30A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KS32C5000A01 制造商:SAMSUNG 功能描述:New
KS3302BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KS3302TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KS33J4 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode
KS33K5 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*