參數(shù)資料
型號(hào): KS32C5000
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: LSI of Ethernet(以太網(wǎng)的集成電路)
中文描述: 大規(guī)模集成電路的以太網(wǎng)(以太網(wǎng)的集成電路)
文件頁(yè)數(shù): 15/21頁(yè)
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代理商: KS32C5000
ELECTRONICS
17
May
‘98
LSI
Division
KS32C5000
HDLC (Block Diagram)
DMA
Controller
Bus
Controller
HDLC
Control
&
Status
Registers
Tx FIFO
(8 word)
Rx FIFO
(8 word)
FCS
Generator
Flag/ Abort/
Idle Generator
&
Transmitter
Receive
Shift Register
FCS
Checker
Zero
Insertion
Flag/ Abort/
Idle Detection
Zero
Deletion
DPLL
BRG
S
y
s
t
e
m
B
u
s
R
e
m
o
t
e
S
e
r
i
a
l
P
o
r
t
Encoder
Decoder
Control
Data
RxD
TxD
DPLL_CLK
autoecho
LOOP
BRG_CLK
DPLLOUTR
DPLLOUTT
BRGOUT1
BRGOUT2
BRGOUT3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KS35A2
KV31S1
KV38S2
KS500 R.F. AND SWITCHING TRANSISTORS N-P-N, HF. UND SCHALTTRANSISTOREN N-P-N
KS524503HB TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 30A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KS32C5000A01 制造商:SAMSUNG 功能描述:New
KS3302BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KS3302TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KS33J4 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode
KS33K5 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode