參數資料
型號： KP023J
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： 800mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
中文描述： 800mW的GaAs功率場效應管（無鉛型）
文件頁數： 5/13頁
文件大?。?/td> 623K
代理商： KP023J
Specifications and information are subject to change without notice. 2003-11
Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1,Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, 244-8588 Japan
Phone: +81-45-853-7263 Fax: +81-45-853-1291 e-mail :
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
Web Site:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-5-
Technical Note
P0120003P
800mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
SUMITOMO ELECTRIC
Tc=25
°C, Vds=6V, Ids=220mA, Pin=0dBm
[Pout-Lstate]
f = 2.1GHz
Γ
pout
Source : 0.76
∠
-166.1
Pout max : 14.4dBm
+j50
: 0.46
∠
135.5
[IP3-Lstate]
f1 = 2.1GHz
f2 = 2.101GHz
Γ
IP3
Source : 0.73
∠
-170.1
IP3 max : 40.45dBm
: 0.52
∠
-155.9
Tc=25°C, Vds=6V, Ids=180mA, Pin=0dBm
[Pout-Lstate]
f = 2.1GHz
Γ
pout
Source : 0.76
∠
-166.1
Pout max : 14.4dBm
: 0.46
∠
138.7
[IP3-Lstate]
f1 = 2.1GHz
f2 = 2.101GHz
Γ
IP3
Source : 0.73
∠
-170.1
IP3 max : 39.3dBm
: 0.42
∠
-160.2
13.15
14.4
+j25
+j100
-j100
-j50
-j25
25
50
100
39.2
+j25
+j50
+j100
-j100
-j50
-j25
25
50
100
40.45
+j50
36.8
+j25
+j100
-j100
-j50
-j25
25
50
100
39.3
13.9
+j25
+j50
+j100
-j100
-j50
-j25
25
50
100
14.4
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PDF描述
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