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參數(shù)資料
| 型號： | KMM5368003BSW |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 8米× 36的DRAM上海藥物研究所使用4Mx16 |
| 文件頁數(shù)： | 2/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 365K |
| 代理商： | KMM5368003BSW |
DRAM MODULE
KMM5368003BSW/BSWG
DQ18 - DQ25
CAS3
CAS2
CAS1
CAS0
RAS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
W A0-A11
U0
Vcc
Vss
0.1 or 0.22uF Capacitor
for each DRAM
To all DRAMs
W
A0-A11
LCAS
UCAS
OE
RAS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
W A0-A11
U2
LCAS
UCAS
OE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
RAS
CAS0
CAS1
CAS2
W A0-A11
U1
CAS3
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
DQ27 - DQ34
RAS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
U3
LCAS
UCAS
OE
RAS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
U5
LCAS
UCAS
OE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
RAS
CAS0
CAS1
CAS2
U4
CAS3
W A0-A11
W A0-A11
W A0-A11
DQ8,17,26,35
DQ0 - DQ7
DQ9 - DQ16
RAS0/RAS2
47
47
47
47
RAS1/RAS3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5368003BSWG | 8M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM5368005BSW | 8M x 36 DRAM SIMM(8M x 36 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM594000A | 4M x 9 CMOS SIMM Memory Module |
| KMM594000A-10 | 4M x 9 CMOS SIMM Memory Module |
| KMM594000A-7 | 4M x 9 CMOS SIMM Memory Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5368003BSWG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM54 | 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
| KMM55 | 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
| KMM56 | 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
| KMM561M450MFND | 制造商:United Chemi-Con 功能描述:SN450X156 UCC S6A3A |
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