參數(shù)資料
型號： KMM5364005BSW
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 36 DRAM SIMM(4M x 36 動態(tài) RAM模塊)
中文描述： 4米× 36的DRAM上海藥物研究所（4米× 36動態(tài)內存模塊）
文件頁數(shù)： 12/19頁
文件大小： 375K
代理商： KMM5364005BSW
DRAM MODULE
KMM5364005BSW/BSWG
Don
′
t care
HYPER PAGE READ-MODIFY-WRITE CYCLE
Undefined
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
V
I/OH
-
V
I/OL
-
ROW
ADDR
t
CSH
t
RASP
t
RP
t
ASR
t
RAH
t
RCD
t
CP
t
RAD
t
CAH
t
WP
t
DH
COL.
ADDR
COL.
ADDR
t
CAS
t
CAS
t
CRP
t
ASC
t
CAH
t
RAL
t
RCS
t
CWL
t
CWD
t
AWD
t
RWD
t
WP
t
CWD
t
AWD
t
CPWD
t
CWL
t
RAC
t
OEA
t
CLZ
t
OEZ
t
OED
t
ASC
t
CLZ
t
OEA
t
CAC
t
AA
t
DH
t
OED
t
RWL
t
CRP
t
DS
t
OEZ
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
t
DS
DQ
t
RSH
t
OLZ
t
OLZ
t
HPRWC
t
CAC
t
AA
相關PDF資料
PDF描述
KMM5364103CKG 4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K Refresh, 5V
KMM5364003CKG 4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K Refresh, 5V
KMM5364003BSWG 4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM5364003CSWG 4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM5364003BSW 4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
KMM5364005BSWG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM5364005CK 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K, Refresh, 5V
KMM5364005CKG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K, Refresh, 5V
KMM5364005CSW 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM5364005CSWG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*