參數(shù)資料
型號： KMM5364003CSW
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
中文描述： 4米× 36的DRAM上海藥物研究所使用4Mx16
文件頁數(shù)： 4/17頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： KMM5364003CSW
DRAM MODULE
KMM5364103CK/CKG
KMM5364003CK/CKG
DQ8
DQ17
DQ26
DQ35
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
Vcc
Vss
.1 or .22uF Capacitor
for each DRAM
To all DRAMs
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
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DQ1
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CAS
RAS
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W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
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CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS0
CAS1
CAS2
CAS3
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
W
A0-A11(A10)
DQ31-DQ34
DQ27-DQ30
DQ22-DQ25
DQ18-DQ21
DQ13-DQ16
DQ9-DQ12
DQ4-DQ7
DQ0-DQ3
U0
U1
U2
U3
U4
U5
U6
U7
CAS0
RAS0
CAS1
CAS2
CAS3
U8
相關PDF資料
PDF描述
KMM5368003BSW 8M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM5368003BSWG 8M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM5368005BSW 8M x 36 DRAM SIMM(8M x 36 動態(tài) RAM模塊)
KMM594000A 4M x 9 CMOS SIMM Memory Module
KMM594000A-10 4M x 9 CMOS SIMM Memory Module
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參數(shù)描述
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KMM5364005BSW 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM5364005BSWG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM5364005CK 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K, Refresh, 5V
KMM5364005CKG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K, Refresh, 5V
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