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參數(shù)資料
| 型號： | KMM5364003CKG |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 4米× 36的DRAM上海藥物研究所利用4Mx4和16M四中科院，4K/2K刷新，5V的 |
| 文件頁數(shù)： | 4/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 286K |
| 代理商： | KMM5364003CKG |
DRAM MODULE
KMM5364103CK/CKG
KMM5364003CK/CKG
DQ8
DQ17
DQ26
DQ35
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
Vcc
Vss
.1 or .22uF Capacitor
for each DRAM
To all DRAMs
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
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CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
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CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
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CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS0
CAS1
CAS2
CAS3
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
W
A0-A11(A10)
DQ31-DQ34
DQ27-DQ30
DQ22-DQ25
DQ18-DQ21
DQ13-DQ16
DQ9-DQ12
DQ4-DQ7
DQ0-DQ3
U0
U1
U2
U3
U4
U5
U6
U7
CAS0
RAS0
CAS1
CAS2
CAS3
U8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| KMM5364103CK | 4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K Refresh, 5V |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KMM5364003CSWG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V |
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| KMM5364005CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K, Refresh, 5V |
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