參數(shù)資料
型號(hào): KMM5364003CK
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K Refresh, 5V
中文描述: 4米× 36的DRAM上海藥物研究所利用4Mx4和16M四中科院,4K/2K刷新,5V的
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文件大小: 286K
代理商: KMM5364003CK
DRAM MODULE
KMM5364103CK/CKG
KMM5364003CK/CKG
DQ8
DQ17
DQ26
DQ35
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
Vcc
Vss
.1 or .22uF Capacitor
for each DRAM
To all DRAMs
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS0
CAS1
CAS2
CAS3
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
W
A0-A11(A10)
DQ31-DQ34
DQ27-DQ30
DQ22-DQ25
DQ18-DQ21
DQ13-DQ16
DQ9-DQ12
DQ4-DQ7
DQ0-DQ3
U0
U1
U2
U3
U4
U5
U6
U7
CAS0
RAS0
CAS1
CAS2
CAS3
U8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM5364003CSW 4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM5368003BSW 8M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM5368003BSWG 8M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM5368005BSW 8M x 36 DRAM SIMM(8M x 36 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
KMM594000A 4M x 9 CMOS SIMM Memory Module
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參數(shù)描述
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KMM5364003CSW 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM5364003CSWG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM5364005BSW 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
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