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參數(shù)資料
| 型號： | KMM53616000BK |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 1,600 × 36的DRAM上海藥物研究所利用16Mx4 |
| 文件頁數(shù)： | 2/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 371K |
| 代理商： | KMM53616000BK |
DRAM MODULE
KMM53616000BK/BKG
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
CAS0
RAS0
U0
Vcc
Vss
0.1 or 0.22uF Capacitor
for each DRAM
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U1
To all DRAMs
CAS1
W
A0-A11
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CAS
RAS
DQ8
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U3
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U4
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ12
DQ15
DQ16
CAS
RAS
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
CAS2
RAS2
U6
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U7
CAS3
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
CAS
RAS
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U9
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U10
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
DQ33
DQ34
CAS
RAS
D
Q
DQ17
D
Q
DQ26
D
Q
DQ35
D
Q
W A0-A11
U2
W A0-A11
U5
W A0-A11
U8
W A0-A11
U11
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