- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374365 > KMM5361203C2W (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 1M x 36 DRAM SIMM(1M x 36 動(dòng)態(tài) RAM模塊) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMM5361203C2W |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 36 DRAM SIMM(1M x 36 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 100萬× 36的DRAM上海藥物研究所（100萬× 36動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 15/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 235K |
| 代理商： | KMM5361203C2W |
DRAM MODULE
KMM5361203C2W/C2WG
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
- 16 -
Don
′
t care
Undefined
CAS - BEFORE - RAS SELF REFRESH CYCLE
NOTE : OE, A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
IL
-
t
RASS
t
RPS
t
RPC
t
WRP
t
CHS
t
RP
t
CP
t
CSR
W
V
IH
-
V
IL
-
t
WRH
t
OFF
t
RPC
OPEN
V
OH
-
V
OL
-
DQ
TEST MODE IN CYCLE
NOTE : OE, A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RAS
t
RC
t
RP
t
RPC
t
WTS
t
RPC
t
RP
t
CP
t
CHR
t
CSR
W
V
IH
-
V
IL
-
t
WTH
t
OFF
OPEN
V
OH
-
V
OL
-
DQ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM53616000BK | 16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
| KMM53616000CK | 16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
| KMM53616000BKG | 16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
| KMM53616000CKG | 16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
| KMM53616004BK | 16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5361203C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh |
| KMM5361205C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| KMM5361205C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| KMM53616000BK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
| KMM53616000BKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。