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參數資料
| 型號： | KMM5328004CSWG |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 8米× 32的DRAM上海藥物研究所使用4Mx16，4K的刷新，5V的 |
| 文件頁數： | 14/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 406K |
| 代理商： | KMM5328004CSWG |
DRAM MODULE
KMM5328004BSW/BSWG
Don
′
t care
RAS - ONLY REFRESH CYCLE*
NOTE : W, OE, D
IN
= Don
′
t care
Undefined
D
OUT
= OPEN
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
ROW
ADDR
t
RC
t
RP
t
ASR
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CRP
t
RAS
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RAH
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RPC
t
CRP
OPEN
CAS - BEFORE - RAS REFRESH CYCLE
NOTE : OE , A = Don
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t care
RAS
V
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-
CAS
V
IH
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V
IL
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RC
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t
RAS
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RPC
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RPC
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OL
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WRP
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WRH
W
V
IH
-
V
IL
-
t
RP
* In RAS-only refresh cycle of 64Mb A-dile & B-die, when CAS signal transits from Low to High, the valid data may be cut off.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5328004CSW | 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5361203C2W | 1M x 36 DRAM SIMM(1M x 36 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM53616000BK | 16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
| KMM53616000CK | 16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
| KMM53616000BKG | 16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KMM5328100CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5328100CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5361203C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh |
| KMM5361203C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh |
| KMM5361205C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
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