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參數(shù)資料
| 型號： | KMM5328004BSWG |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 8米× 32的DRAM上海藥物研究所使用4Mx16，4K的刷新，5V的 |
| 文件頁數(shù)： | 9/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 406K |
| 代理商： | KMM5328004BSWG |
DRAM MODULE
KMM5328004BSW/BSWG
READ - MODIFY - WRITE CYCLE
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5328004CSWG | 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5328004CSW | 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5328004CSW | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5328004CSWG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
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| KMM5361203C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh |
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