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參數(shù)資料
| 型號： | KMM5328000BSW |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 4米× 32的DRAM上海藥物研究所使用4Mx16，4K的刷新，5V的 |
| 文件頁數(shù)： | 13/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 271K |
| 代理商： | KMM5328000BSW |
DRAM MODULE
KMM5328100CK/CKG
KMM5328000CK/CKG
CAS-BEFORE-RAS REFRESH COUNTER TEST CYCLE
RAS
V
IH
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V
IL
-
CAS
V
IH
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V
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A
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IH
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COLUMN
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V
IL
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W
t
WP
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RWL
NOTE : This timing diagram is applied to all devices besides 16M DRAM 4th & 64M DRAM.
OPEN
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| KMM5328004CSW | 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KMM5328004BSWG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
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