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參數(shù)資料
| 型號： | KMM53216000BV |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M x 32 DRAM SIMM(16M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 1,600 × 32的DRAM上海藥物研究所（1,600 × 32動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 19/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 342K |
| 代理商： | KMM53216000BV |
DRAM MODULE
KMM53216000BV/BVG
PACKAGE DIMENSIONS
.133(3.38)
4.250(107.95)
3.984(101.19)
.125(3.17)
MIN
R.062
±
.004(R1.57
±
.10)
.250(6.35)
3.750(95.25)
.250(6.35)
Units : Inches (millimeters)
Gold/Solder Plating Lead
.010(.25)MAX
.050(1.27)
.041
±
.004(1.04
±
.10)
.100(2.54)
MIN
.200(5.08)
MAX
.054(1.37)
.047(1.19)
Tolerances :
±
.005(.13) unless otherwise specified
NOTE : The used device is 16Mx4 DRAM, SOJ
DRAM Part No. : KMM53216000BV/BVG -- KM44C16100BK
1.000(25.40)
.400(10.16)
.125 DIA
±
.002(3.18
±
.051)
R.062(1.57)
.250(6.35)
.080(2.03)
( Back view )
( Front view )
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| KMM5324000CKG | 4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5324004BSWG | 4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM53216000CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216000CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004BK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004BKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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