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參數(shù)資料
| 型號： | KMM53216000BV |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M x 32 DRAM SIMM(16M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 1,600 × 32的DRAM上海藥物研究所（1,600 × 32動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 14/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 342K |
| 代理商： | KMM53216000BV |
DRAM MODULE
KMM53216000BV/BVG
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
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V
IL
-
ROW
ADDR
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RAS
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Don
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RAS - ONLY REFRESH CYCLE
NOTE : W, OE, D
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CRP
CAS - BEFORE - RAS REFRESH CYCLE
NOTE : OE, A = Don
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OFF
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RPC
V
OH
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V
OL
-
DQ
OPEN
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM53232000BV | 32M x 32 DRAM SIMM(32M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM5324000BSWG | 4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5324000CK | 4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5324000CKG | 4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5324004BSWG | 4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM53216000CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216000CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004BK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004BKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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