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參數(shù)資料
| 型號： | KMM378S3320T |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 32Mx72 SDRAM DIMM(32M x 72 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 32Mx72 SDRAM的內(nèi)存（32M × 72配置動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 8/11頁 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | KMM378S3320T |
SDRAM MODULE
KMM378S3320T
REV. 0 Mar. '98
Preliminary
AC CHARACTERISTICS
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
-8
-H
-L
-10
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
CLK cycle time
CAS Latency=3
t
CC
8
1000
10
1000
10
1000
10
1000
ns
1
CAS Latency=2
12
10
12
13
CLK to valid
output delay
CAS Latency=3
t
SAC
6
6
6
7
ns
1, 2
CAS Latency=2
6
6
7
7
Output data
hold time
CAS Latency=3
t
OH
3
3
3
3
ns
2
CAS Latency=2
3
3
3
3
CLK high pulse width
t
CH
3
3
3
3.5
ns
3,4
CLK low pulse width
t
CL
3
3
3
3.5
ns
3,4
Input setup time
t
SS
2
2
2
2.5
ns
3
Input hold time
t
SH
1
1
1
1.5
ns
3
CLK to output in Low-Z
t
SLZ
1
1
1
1
ns
2
CLK to output
in Hi-Z
CAS Latency=3
t
SHZ
6
6
6
7
ns
CAS Latency=2
6
6
7
7
1. Parameters depend on programmed CAS latency which is based on Reg. DIMM.
2. If clock rising time is longer than 1ns, (tr/2-0.5)ns should be added to the parameter.
3. Assumed input rise and fall time (tr & tf)=1ns.
If tr & tf is longer than 1ns, transient time compensation should be considered,
i.e., [(tr + tf)/2-1]ns should be added to the parameter.
4. This parameter is measured on both Register and SDRAM.
Note :
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