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參數資料
| 型號： | KMM366F410CK1 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 64 DRAM DIMM(4M x 64 動態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 4米× 64的DRAM內存（4米× 64動態(tài)內存模塊） |
| 文件頁數： | 15/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 384K |
| 代理商： | KMM366F410CK1 |
DRAM MODULE
KMM366F410CK1
KMM366F400CK1
Don
′
t care
RAS - ONLY REFRESH CYCLE*
NOTE : W, OE, D
IN
= Don
′
t care
Undefined
D
OUT
= OPEN
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
ROW
ADDR
t
RC
t
RP
t
ASR
t
CRP
t
RAS
t
RAH
t
RPC
t
CRP
OPEN
CAS - BEFORE - RAS REFRESH CYCLE
NOTE : OE , A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RC
t
RP
t
RAS
t
RPC
t
CP
t
RPC
t
CSR
t
CHR
t
CEZ
V
OH
-
V
OL
-
DQ
t
WRP
t
WRH
W
V
IH
-
V
IL
-
t
RP
* In RAS-only refresh cycle of 64Mb A-dile & B-die, when CAS signal transits from Low to High, the valid data may be cut off.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM366F400CK1 | 4M x 64 DRAM DIMM(4M x 64 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM366S104CTL | 1Mx64 SDRAM DIMM(1Mx64 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM366S1623BTL | 16Mx64 SDRAM DIMM(16Mx64 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM366S1623BT | 16Mx64 SDRAM DIMM(16Mx64 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM366S163BT-GB | DIODE ZENER 6.2V 0.5W 5% IZT=20MA DO-2 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| KMM366S1623AT-G0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD |
| KMM366S1623AT-G2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD |
| KMM366S1623AT-G8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD |
| KMM366S1623BT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:PC100 SDRAM MODULE |
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