參數(shù)資料
型號： KMB8D2N60QA
廠商： KEC Holdings
英文描述： N-Ch Trench MOSFET
中文描述： N溝道溝道MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 478K
代理商： KMB8D2N60QA
2007. 9. 3
4/4
KMB8D2N60QA
Revision No : 1
20
10
0
0
40
50
30
10
8
6
4
2
Fig7. V
GS
- Q
g
G
G
Gate Charge Q
g
(nC)
V
DS
=30V
I
D
=8.2A
10
5
0
0
20
25
30
15
2500
2000
3500
3000
1500
1000
500
Fig8. C - V
DS
C
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
f=1MHz
D
D
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
Fig9. Safe Operation Area
10
1
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
-1
10
-2
10
0
10
0
10
2
Operation in this
area is limited by R
DS(ON)
1ms
10s
10ms
100ms
1s
DC
V
GS
=10V
SINGLE PULSE
T
A
= 25
C
100
μ
s
Crss
Coss
Ciss
Fig10. Transient Thermal Response Curve
10
-4
10
-1
10
-2
10
0
10
10
2
10
3
10
-3
10
-1
10
-2
10
0
10
-3
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
R
0.1
0.01
0.02
0.05
0.2
0.5
SINGLE
- Duty cycle D = t
1
/t
2
t
1
t
2
P
DM
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PDF描述
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