參數(shù)資料
型號： KMB8D2N60QA
廠商： KEC Holdings
英文描述： N-Ch Trench MOSFET
中文描述： N溝道溝道MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 478K
代理商： KMB8D2N60QA
2007. 9. 3
3/4
KMB8D2N60QA
Revision No : 1
0
0
4
10
20
30
40
8
12
16
20
V
GS
=4.0V
V
GS
=3.5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
V
GS
=5.5V
V
GS
=6V
V
GS
=8V, 10V
10
00
20
30
40
1
2
4
3
5
D
)
D
)
0
10
30
60
50
20
40
0
125 150 175
75
100
50
-25
25
-50
-75
Junction Temperature Tj ( )
Junction Temperature T
j
( )
t
(
Fig1. I
D
- V
DS
D
D
D
D
Drain Current I
D
(A)
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
Fig3. I
D
- V
GS
D
D
Gate Source Voltage V
GS
(V)
0
0
10
10
20
30
40
50
20
30
40
50
Fig2. R
DS(ON)
- I
D
Fig4. R
DS(ON)
- T
j
Fig5. V
th
- T
j
0.4
0
0
1.2
0.8
2.0
1.6
20
10
40
30
Fig 6. I
S
- V
SDF
Source-Drain Forward Voltage V
SDF
(V)
Common Source
Ta=25
Pulse Test
C
Common Source
Ta=25
Pulse Test
C
Common Source
V
=5V
Pulse Test
Common Source
V
GS
=10V
Pulse Test
Common Source
V
GS
=V
DS
I
D
=250
μ
A
Pulse Test
Common Source
Ta=25
Pulse Test
C
25 C
150 C
-55 C
0
-75
1
3
5
2
4
0
125 150 175
75
100
50
-25
25
-50
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PDF描述
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