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參數(shù)資料
| 型號： | KMB7D1DP30QA |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | Dual P-Ch Trench MOSFET |
| 中文描述： | 雙P溝道MOSFET通道 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 484K |
| 代理商： | KMB7D1DP30QA |
2007. 4. 17
3/5
KMB7D1DP30QA
Revision No : 0
0.4
4
10V
4.5V
3.0V
2.5V
4.0V
3.5V
Drain - Current I
D
(A)
0
0
4
100
200
8
12
16
20
Gate-Source Volatage V
GS
(V)
0
0
1
10
20
40
30
2
3
4
5
N
S
D
)
0
30
50
10
20
40
-25
150
50
75
100
125
25
-50
0
-75
Common Source
V
=10V, I
D
=7A
Pulse Test
Common Source
V
=5V
Pulse Test
C
Common Source
Tc=25
Pulse Test
Junction Temperature Tj ( )
-75
-50
-25
0
50
100
75
125
150
25
0
1
4
2
5
3
Junction Temperature Tj ( )
Common Source
V
GS
=V
DS
I
=250
μ
A
Pulse Test
G
t
Source - Drain Forward Voltage V
SDF
(V)
D
D
0.6
1.0
0
0.2
1.4
1.8
0
2
10
8
4
6
Fig1. I
D
- V
DS
D
D
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
D
D
D
S
D
)
Fig2. R
DS(ON)
- I
D
Fig3. I
D
- V
GS
Fig4. R
DS(on)
- T
j
Fig5. V
th
- T
j
Fig6. I
S
-V
SDF
-55
C
25
C
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
125
C
V
GS
=2.0V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMB8D2N60QA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMM332V204BT-L | 2M x 32 DRAM SODIMM(2M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM332V224BT-L | 2M x 32 DRAM SODIMM(動態(tài) RAM模塊) |
| KMM350S823BT1 | 8M x 72 SDRAM DIMM(8M x 72同步動態(tài)RAM模塊) |
| KMM364C224BJ | 2M x 64 DRAM DIMM(2M x 64 動態(tài) RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMB7D6NP30Q | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE |
| KMB8D0P30Q | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE |
| KMB8D0P30QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:P-Ch Trench MOSFET |
| KMB8D2N60QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N-Ch Trench MOSFET |
| KMB9-21-A10PN | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:KM AUSTRALIAN PRODUCT - Bulk |
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