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參數(shù)資料
| 型號： | KMB4D0N30SA |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | N-Ch Trench MOSFET |
| 中文描述： | N溝道溝道MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 484K |
| 代理商： | KMB4D0N30SA |
2007. 4. 17
3/5
KMB4D0N30SA
Revision No : 0
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
10V,3V,2.8V
2.6V
2.8V
2.4V
2.2V
V
GS
=2.0V
Drain - Current I
D
(A)
0
0
4
100
200
8
12
20
16
Gate Source Volatage V
GS
(V)
0
0
1
8
4
12
16
20
2
3
4
5
N
S
D
)
0
60
20
10
30
50
40
-25
150
50
75
100
125
25
-50
0
-75
Common Source
V
=5V
Pulse Test
C
Common Source
Tc=25
Pulse Test
Junction Temperature T
j
( )
-75
-50
-25
0
50
100
75
125
150
25
0
1
4
2
5
3
Junction Temperature T
j
( )
Common Source
V
GS
=V
DS
I
=250
μ
A
Pulse Test
G
t
Source - Drain Forward Voltage V
SDF
(V)
D
D
0.8
1.2
0
0.4
1.6
2.0
0
2
10
8
4
6
Fig1. V
DS
- I
D
D
D
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
D
D
D
S
D
)
Fig2. R
DS(ON)
- I
D
Fig3. V
GS
- I
D
Fig4. R
DS(ON)
- T
j
Fig5. V
th
- T
j
Fig6. I
S
- V
SDF
25
C
125
C
-55
C
Common Source
V
=10V, I
D
=3.5A
Pulse Test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMB6D0DN30QA | Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D0DN40QA | Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D0NP30QA | N and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D1DP30QA | Dual P-Ch Trench MOSFET |
| KMB8D2N60QA | N-Ch Trench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMB4D0N30SA_08 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SOT-23 PACKAGE |
| KMB4D5DN60QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB4D8DN55Q | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE |
| KMB5D0NP40Q | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE |
| KMB5D5NP30Q | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 (1) PACKAGE |
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