- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374362 > KMB2D0N60SA (KEC Holdings) N-Ch Trench MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KMB2D0N60SA |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | N-Ch Trench MOSFET |
| 中文描述： | N溝道溝道MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 482K |
| 代理商： | KMB2D0N60SA |
2007. 4. 17
3/5
KMB2D0N60SA
Revision No : 0
2
4
6
8
10
0
2
0
4
6
8
10
10V
5.0V
3.5V
4.5V
4.0V
Drain - Current I
D
(A)
0
0
4
200
100
300
500
400
8
12
16
Gate-Source Volatage V
GS
(V)
0
0
1
2
4
10
8
6
2
3
4
5
N
S
D
)
0
150
250
50
100
200
-25
150
50
75
100
125
25
-50
0
-75
Common Source
V
=10V, I
D
=2A
Pulse Test
Common Source
V
=5V
Pulse Test
C
Common Source
Tc=25
Pulse Test
C
Common Source
Tc=25
Pulse Test
Junction Temperature Tj ( )
-75
-50
-25
0
50
100
75
125
150
25
0
1
4
2
5
3
Junction Temperature Tj ( )
Common Source
V
GS
=V
DS
I
=250
μ
A
Pulse Test
G
t
Source - Drain Forward Voltage V
SDF
(V)
D
D
0.8
1.2
0
0.4
1.6
2.0
0
2
10
8
4
6
Fig1. I
D
- V
DS
D
D
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
D
D
D
S
D
)
Fig2. R
DS(ON)
- I
D
Fig3. I
D
- V
GS
Fig4. R
DS(ON)
- T
j
Fig5. V
th
- T
j
Fig6. I
S
-V
SDF
-55
C
25
C
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
125
C
V
GS
=3V
C
Common Source
Tc=25
Pulse Test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMB3D0P30SA | P-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D5PS30QA | SBD and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB4D0N30SA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMB6D0DN30QA | Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D0DN40QA | Dual N-Ch Trench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMB2D0N60SA_08 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D0P30SA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:P-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D5N40SA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D5PS30QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SBD and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D9N40TA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N-Ch Trench MOSFET |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。