參數(shù)資料
型號(hào)： KMA3D0N20SA
廠商： KEC Holdings
英文描述： N-Ch Trench MOSFET
中文描述： N溝道溝道MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 483K
代理商： KMA3D0N20SA
2007. 4. 17
3/5
KMA3D0N20SA
Revision No : 0
0
0
2
4
8
12
4
6
8
10
10V,3V,2.8V,2.6V
2.4V
2.2V
V
GS
=2.0V
Drain - Current I
D
(A)
0
0
4
100
200
8
12
16
Gate Source Volatage V
GS
(V)
0
0
1
4
8
12
2
3
4
5
N
S
D
)
0
60
20
40
80
-25
150
50
75
100
125
25
-50
0
-75
Common Source
V
=5V
Pulse Test
C
Common Source
Tc=25
Pulse Test
Junction Temperature Tj ( )
-75
-50
-25
0
50
100
75
125
150
25
0
1
4
2
5
3
Junction Temperature Tj ( )
C
Common Source
V
GS
=V
DS
I
=250
μ
A
Pulse Test
G
t
Source - Drain Forward Voltage V
SDF
(V)
D
D
0.8
1.2
0
0.4
1.6
2.0
0
2
10
8
4
6
Common Source
Tc= 25
C
D
D
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
D
S
D
)
Fig2. R
DS(on)
- I
D
Fig3. I
D -
V
GS
Fig4. R
DS(on)
- T
j
Fig5. V
th
- T
j
Fig6. I
S
- V
SDF
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
25
C
125
C
-55
C
Common Source
V
=4.5V, I
D
=2.5A
Pulse Test
C
Common Source
Tc=25
Pulse Test
D
D
Fig1. I
D -
V
DS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMB010P30QA P-Ch Trench MOSFET
KMB014P30QA P-Ch Trench MOSFET
KMB060N60PA N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
KMB2D0N60SA N-Ch Trench MOSFET
KMB3D0P30SA P-Ch Trench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KMA3D0N20SA_12 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N-Ch Trench MOSFET
KMA3D6N20SA 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SOT-23 PACKAGE
KMA3D6N20SA_12 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics.
KMA3D7P20SA 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:P-Ch Trench MOSFET
KMA4-21-50PN 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:KM AUSTRALIAN PRODUCT - Bulk
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