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參數(shù)資料
| 型號： | KM416S4030B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16Bitx 4 Banks Synchronous DRAM(1M x 16位 x4組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 100萬x 16Bitx 4銀行同步DRAM（100萬× 16位x4組同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 13/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 625K |
| 代理商： | KM416S4030B |
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CMOS SDRAM
DEVICE OPERATIONS - III
ELECTRONICS
REV. 3 Feb. '98
BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 4)
Initial Address
A
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Sequential
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BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 8)
Initial Address
A
1
Sequential
Interleave
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416S4031B | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface(1M x 16位 x4組同步動(dòng)態(tài)RAM（帶SSTL接口）) |
| KM416S4031C | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface(1M x 16位 x4組同步動(dòng)態(tài)RAM（帶SSTL接口）) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416S4030C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S4030CT-F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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| KM416S4030CT-F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S4030CT-FH | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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